[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-10] 走査型ヘリウムイオン顕微鏡およびSEM観察による有機膜の構造変化

〇小川 真一¹、飯島 智彦¹ (1.産総研)

キーワード：ヘリウムイオン顕微鏡、構造変化、有機膜

ヘリウムイオンビーム30kVでは最大ドーズ量深さは試料表面から約230nm、電子ビーム0.7kVでは約40nmであるため、ヘリウムイオン顕微鏡では試料内部深い領域に、SEMでは試料表面近傍に上記構造変化（ダメージ）が発生すると考えられる。最適化した条件で基板に形成した溝内にアルキル系樹脂を埋め込んだ断面をHIM、SEMで表面観察した。表面領域でのダメージの少ないHIMの方がより現実に近い像（観察によるボイド発生などはない）が得られていると考える。