[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-13] SiHCl₃-SiH_x系シリコン薄膜形成法により得られる薄膜中の炭素濃度

齋藤 あゆ美¹、〇山田 彩未¹、羽深 等¹ (1.横浜国大院工)

キーワード：シリコンエピ成長速度、トリクロロシラン、SiHx

電子デバイスなどの生産工程において、トリクロロシラン(SiHCl₃, TCS)を用いてシリコンエピタキシャル成長を行う際に成長速度の飽和を越えるため、TCSガスとSiH_xガスを混合させる方法を提案している。その際に用いているモノメチルシランガスから、Si薄膜中にCが混入し、成長速度に影響することが懸念された。本研究では、得られた薄膜中の炭素濃度を分析し、成長速度に影響を与えない程度であることを確認したので、その詳細を報告する。