[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [15p-B10-14] F₂レーザー堆積法によるナノポーラスSiO₂膜の形成

〇當間 拓矢¹、諏訪 輝¹、中村 大輔¹、池上 浩¹ (1.九州大工)

キーワード：SiO2、レーザープロセシング

ULSIはスケーリング則に伴う微細化による配線遅延の改善が必要とされているが，機械的強度や耐熱性等のプロセス要求を達成しつつ，比誘電率が2に迫る勢いの材料は見出されていない．本報告は，低誘電率膜を成膜する技術として、F2レーザーを用いたPLD法を提案したものであり，雰囲気圧力を制御することで形成されるナノ粒子の粒径，すなわちポーラスサイズを制御できる可能性があることを示唆するものである．