[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-16] 表面活性化ボンディング法によるCu箔/Si接合の電気特性評価

〇古名 克也¹、梁 剣波¹、松原 萌子²、ダムリン マルワン²、西尾 佳高²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.東洋アルミニウム)

キーワード：表面活性化ボンディング法、Cu箔、シリコン

半導体素子の特性向上には電極の厚膜化が不可欠である。我々は既にSAB法により作製したAl箔/Si接合を評価し、Al箔は金属電極として機能し得ることを見出した。本研究では比抵抗に優れ、電極として普及しているCuで厚膜電極実現可能性の検討を行った。