[15p-B9-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [15p-B9-10] Deposition Temperature and Al₂O₃ Thickness Dependence on the Mobility of HfO₂/Al₂O₃/InGaAs Gate Stacks

〇Kazuto Ohsawa¹, Nobukazu Kise¹, Yasuyuki miyamoto¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:electron mobility, high-k dielectric, InGaAs

我々はN₂プラズマクリーニングおよび低温成膜を行ってAl₂O₃/InGaAsゲート構造およびHfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造のMOSFETを作製し移動度測定を行った。その結果、成膜温度を300°Cから120°Cに下げることで移動度を向上できることがわかった。また移動度改善を期待して120°C成膜HfO₂/Al₂O₃/InGaAsのAl₂O₃膜厚を変え移動度への影響を調べた。