[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

〇大澤 一斗¹、木瀬 信和¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：電子移動度、high-k絶縁膜、InGaAs

我々はN₂プラズマクリーニングおよび低温成膜を行ってAl₂O₃/InGaAsゲート構造およびHfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造のMOSFETを作製し移動度測定を行った。その結果、成膜温度を300°Cから120°Cに下げることで移動度を向上できることがわかった。また移動度改善を期待して120°C成膜HfO₂/Al₂O₃/InGaAsのAl₂O₃膜厚を変え移動度への影響を調べた。