[15p-B9-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [15p-B9-15] Creation and annihilation of interfacial dipoles in Al/SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks

〇Yuta Nagatomi¹, Tomoki Tateyama¹, Taisei Sakaguchi¹, Keisuke Yamamoto¹, Dong Wang¹, Hiroshi Nakashima¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:Ge MOSFET, dipole, fixed oxide charge

我々は，Al/SiO₂/GeO₂/Geスタックを熱処理すると，界面欠陥が低減すること，ゲートスタック中にAl原子が導入され，負の固定電荷密度が増加すること，その導入量を制御して界面電荷の総量をゼロに近づければ，正孔移動度が向上すること，を明らかにしてきた．今回，Al/SiO₂/GeO₂/GeとAl/SiO₂/Siのゲートスタックを作製し，ダイポールの生成・消失について調査したのでその結果を報告する．