[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

〇永冨 雄太¹、建山 知輝¹、坂口 大成¹、山本 圭介¹、王 冬¹、中島 寛¹ (1.九大)

キーワード：Ge MOSFET、ダイポール、固定電荷

我々は，Al/SiO₂/GeO₂/Geスタックを熱処理すると，界面欠陥が低減すること，ゲートスタック中にAl原子が導入され，負の固定電荷密度が増加すること，その導入量を制御して界面電荷の総量をゼロに近づければ，正孔移動度が向上すること，を明らかにしてきた．今回，Al/SiO₂/GeO₂/GeとAl/SiO₂/Siのゲートスタックを作製し，ダイポールの生成・消失について調査したのでその結果を報告する．