[15p-B9-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [15p-B9-6] Evaluation of MOS interface properties in GaAsSb MOS structures with ultrathin InGaAs interfacial layers

〇(D)Takahiro Gotow^1,3, Manabu Mitsuhara^2,3, Takuya Hoshi^2,3, Hiroki Sugiyama^2,3, Mitsuru Takenaka^1,3, Shinichi Takagi^1,3 (1.Univ. of Tokyo, 2.NTT lab., 3.CREST)

Keywords:III-V compound semiconductors, pMOSFET, TFET

Sb系材料は、III-V族化合物半導体の中でも高い正孔移動度が得られること、さらに表面付近で圧縮歪みを入れることで、より正孔移動度が増大するため、p-MOSFETチャネルへの応用が期待される。また、GaAsSb/InGaAsヘテロ接合はType-IIバンド構造を取り、TFETに適用することで高いオン電流が期待されるため、TFETに向けた材料系としても注目を集めている。そこで本研究では、InP基板との格子整合系であるGaAsSbにInGaAsパッシベーション膜を形成し、MOS界面特性を評価した。