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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2016年9月15日(木) 13:45 〜 19:00 C302 (日航30階鳳凰)

土田秀一(電中研)、谷本智(日産アーク)

17:30 〜 17:45

[15p-C302-13] 4H-SiCエピタキシャル層におけるプロセス起因結晶欠陥の評価

〇小西くみこ¹、藤田隆誠¹、毛利友紀¹、島明生¹、嶋本泰洋¹ (1.日立研開)

キーワード：SiC、結晶欠陥、PL