[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-3] SiO₂をマスクとしたSF₆-O₂-Ar系ICP-RIEによる高選択比SiCエッチング

〇平松 佳奈¹、奥田 貴史¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：エッチング、SiC、RIE

RIEによるSiCの深堀りエッチングでは、マスク材料に対し高い選択比が必要となる。金属マスクを用いると10以上の選択比を実現できるが、マイクロマスキングが発生しやすいため、マスク材料として通常SiO₂が用いられる。しかし、SiO₂マスクの選択比は0.8‐4程度と低いため、選択比の向上が求められる。ゆえに本研究では、SF₆-O₂-Ar雰囲気下でICP-RIEによるSiCエッチングを行い、選択比の圧力・プラズマ電力・ガス流量比依存性を調べた。