[15p-P11-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

[15p-P11-3] Fabrication of crystalline Ge thin film by annealing AuGe/Au bilayer

〇Satoshi Akutsu¹, Masao Kamiko², Kentaro Kyuno^1,3 (1.Shibaura inst. of tech, 2.Univ of Tokyo., 3.RCGI SIT)

Keywords:semiconductor, polycrystal, thin film

Ge多結晶薄膜を作製のために、Au薄膜上にGeを成膜したサンプルとAu薄膜上にAuとGeを同時に成膜したサンプルを用いて、MIC法（金属誘起結晶化法）によりGeの多結晶を作製し、結晶化の傾向を比較した。その結果AuGe/Auのサンプルの方が結晶化が進んだことが分かったのでそのことについて報告する。