[15p-P11-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

[15p-P11-4] Fabrication of crystalline Ge thin film by annealing AuGe/Au bilayer

〇(M1)Kenta Kumagai¹, kimio kamiko², kentaro kyuno^1,3 (1.Shibaura Inst., 2.University of Tokyo., 3.RCGI SIT)

Keywords:semiconductor, Metal Induced Crystallization

本研究では、Au を用いた MIC 法による Ge の結晶化において、Ge 層 に Au を添加した場合の結晶化の初期過程について調べたので報告する。 今回の実験では、アニール処理を140℃、160℃で行い、ラマン分光法による測定と光学顕微鏡での観察による評価をした。