[15p-P11-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

[15p-P11-5] Crystallization of Ge thin films by cosputtering of Ge and Au (Ⅲ)

〇Satoshi Takatorige¹, Masao Kamiko², Kentaro Kyuno^1,3 (1.Shibaura Inst of Tech, 2.Univ of Tokyo, 3.RCGI)

Keywords:semiconductor, thin films, polycrystal

AuとGeの同時スパッタにおいてRF電源の出力を調整して膜厚レートの結晶化へのレートを調査した。成膜時間は180秒、スパッタ時の基板は185℃に保持した。作製した薄膜はXRDとラマン分光法による評価を行った。