[15p-P2-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-P2-12] 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製

〇柄谷 涼太¹、古市 浩幹¹、馬場 一気¹、森 陽介¹、吉田 稜¹、中島 宇史²、徳田 規夫¹、川江 健¹ (1.金沢大、2.東京理科大)

キーワード：ダイヤモンド、FET、強誘電体