[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-1] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上GaN HEMT構造におけるAlGaN層成膜の回転数依存性

〇津久井 雅之¹、家近 泰¹、宮野 清孝¹、高橋 英志¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ)

キーワード：窒化物半導体、MOCVD/MOVPE、HEMT

我々はAlGaN/GaN HEMT構造を用いた電子デバイスの低コスト化への要求に向けて200mm Si基板対応の枚葉式高速回転MOCVD装置を開発した。AlGaN/GaN HEMT構造の成膜において、電子供給AlGaN層の膜厚およびAl組成の均一性が品質管理の観点から重要となる。今回この装置を用いてAlGaN層成膜における回転数依存性を調べた結果、成長速度に強い影響があることがわかり、これを利用して4チャンバ同時成膜で膜厚均一性20.0±1nm, Al組成均一性25.0±1%を実現した。