[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-10] 化学的活性条件でのICP-RIEによる半極性面GaNのエッチング形状

〇永利 圭¹、板垣 憲広¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、西宮 智靖²、松尾 文晴²、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学、2.サムコ株式会社)

キーワード：窒化ガリウム、半極性、エッチング