[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-6] Si基板上縦型高出力AlGaN FET実現を目指した導電性AlNバッファ層の形成

〇黒瀬 範子¹、青柳 克信¹、尾関 宏太²、荒木 努² (1.立命館大、総研、2.立命館大、理工)

キーワード：AlN、Si 基板、縦型FET

Si基板上に縦型AlGaN FETを形成する場合、Si基板上のバッファー層として必要不可欠なAlN層に導電性を持たせる必要がある。そこでMOCVDにおいてSi基板上への微少TMAの先出によりAl-Si合金を形成しナノビアホールを作成する新しい技術を開発し、このビアホールをn-AlGaNで埋め、導電性AlNバッファー層の形成に成功した。またこの結晶成長法は、自然形成ボイドを大量に作成することが可能で、反りの少ないクラックフリーのサンプル作成を可能にした。