[16a-A22-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [16a-A22-3] Structure of Etch Pits in β-Ga₂O₃ (010) Single Crystals

〇Tomoya Moribayashi¹, Kenji Hanada¹, Kimiyoshi Koshi², Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Osamu Ueda³, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Tamura Corp., 3.Kanazawa Inst.)

Keywords:Ga2O3

酸化ガリウム (β-Ga₂O₃) はバンドギャップが4.8 eV のワイドギャップ半導体であり，次世代のパワーデバイスとして期待されている．我々は成長結晶の溝形欠陥と，それと異なるエッチピットを観察し報告したが，今回，様々な形状のエッチピットを観察し，起源を明らかにしたので報告する．