[16a-A22-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [16a-A22-8] Fabrication and electrical property analysis of Si doped α-Ga₂O₃

〇Takayuki Uchida¹, Riena Jinno¹, Shu Takemoto¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Ga2O3, power devices

近年注目されるGa2O3のコランダム構造であるα-Ga2O3において、電気導電性制御に向けて、Siドープを行った。その作製手法、電気特性について発表を行う。