[16a-A22-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16a-A22-9] Dry etching characteristic of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ thin films

〇Takayuki Uchida¹, Masayuki Nakamura², Kentaro Kaneko¹, Riena Jinno¹, Takayuki Kobayashi², Shinichi Motoyama², Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ., 2.SAMCO Inc.)

Keywords:Dry etching, (Al, Ga)2O3

パワーデバイス材料として注目されるα-Ga2O3のAlとの混晶であるα-(Al,Ga)2O3薄膜はバンドギャップ値が5.3-8.0 eVまで変調可能であり、多くの応用が期待される材料である。しかし、Ga2O3は熱リン酸を用いてウエットエッチングが可能であるが、Al2O3のウエットエッチングは難しいため、それぞれの混晶薄膜であるα-(Al,Ga)2O3はウエットエッチングが困難である。そこで、ドライエッチングによるα-(Al,Ga)2O3のエッチングを試みた。講演予定の条件において、α-(Al,Ga)2O3に対してドライエッチングが有効である良好な結果が得られた。