[16a-A26-1~7] 13.7 ナノ構造・量子現象

△ [16a-A26-4] InGaAs量子井戸とGaInNAs量子井戸のスピン緩和の観測

〇亀崎 拓也¹、石川 友樹¹、大木 俊介¹、山田 築¹、Lu Shulong²、Bian Lifeng²、Niu Zhichuan³、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.SINANO-CAS、3.I.S.-CAS)

キーワード：スピン、GaInNAs

ＧａＡｓ基板上に成長したＧａＩｎＮＡｓ量子井戸の半導体は珍しい物理的特性、潜在用途があり、長波長光デバイスにおいて魅力的である。本研究では時間分解ポンププローブ反射計測により、
Ｇａ_0.6Ｉｎ_0.4Ｎ_0.01Ａｓ_0.99量子井戸とＩｎ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓ量子井戸のスピン緩和時間を求めた。