[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-5] 結晶セレンフォトダイオードにおける密着層膜厚の減少による暗電流特性の改善

〇為村 成亨¹、峰尾 圭忠¹、本田 悠葵¹、萩原 啓¹、渡部 俊久¹、宮川 和典¹、難波 正和¹、大竹 浩¹、久保田 節¹ (1.NHK技研)

キーワード：結晶セレン、フォトダイオード、イメージセンサ

撮像素子の多画素化に伴う画素サイズの微細化により、撮像素子の感度低下は深刻な課題とされてきた。私たちは、固体撮像素子上に光電変換膜を積層することで、高感度撮像素子の開発を目指している。これまでに、可視光領域で高い吸収係数を有する結晶セレンをCMOS回路上に積層し、高画質な映像の取得に成功したことを報告した。今回、密着層として挿入するテルルの量を少なくし、暗電流低減に成功したため報告する。