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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2016年9月16日(金) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

内田史朗(千葉工大)

10:45 〜 11:00

[16a-A35-7] Si上Geフォトダイオードの暗電流に対するGe初期成長条件の影響

〇(M1)伊藤和貴¹、宮坂裕司¹、石川靖彦¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体、シリコンフォトニクス、フォトダイオード