[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-B1-10] AlGaN/GaN MOS-HEMT電気特性劣化のゲート絶縁膜成膜温度依存性の検証

〇(M1)渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、山田 高寛¹、中澤 敏志²、按田 義治²、石田 昌宏²、上田 哲三²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.Panasonic)

キーワード：半導体、窒化ガリウム