[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-13] Si基板上AlGaN/GaN HEMT 構造におけるAlN初期層の電流AFM評価

〇各務 憲¹、山岡 優哉^1,2、江川 孝志¹、生方 映徳²、田渕 俊也²、松本 功² (1.名工大院、2.大陽日酸)

キーワード：Si基板上GaN