[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-6] ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの接合容量の周波数およびバイアス電圧依存性による深い準位の評価

〇須田 淳¹、堀田 昌宏¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、容量

次世代の高耐圧・大電流パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が集まっている。縦型デバイス実現の鍵となるのが低ドープの耐圧維持層であり、耐圧数kVのGaNデバイスの実現には10¹⁵ cm^-3台のドーピング制御が必要となる。このような低ドーピングを実現するためには深い準位の解明とそれに基づく低減が不可欠である。深い準位の評価には高周波容量の過渡特性に評価(DLTS)が一般的であるが、今回は、接合容量の周波数依存性およびバイアス電圧依存性を測定し、その解析から深い準位の評価を行ったので報告する。