[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-8] GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形成温度依存性

〇田岡 紀之¹、久保 俊晴²、山田 寿一¹、江川 孝志²、清水 三聡¹ (1.産総研、2.名工大)

キーワード：GaN、MOS界面、表面ポテンシャル揺らぎ