[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-9] Mgドープp-GaNのホール効果温度特性評価と価電子帯の有効状態密度に関する考察

〇堀田 昌宏¹、高島 信也²、田中 亮²、上野 勝典²、江戸 雅晴²、高橋 言緒³、清水 三聡³、須田 淳³ (1.京大院工、2.富士電機、3.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、ホール効果、有効状態密度

GaN縦型パワーデバイス設計に必要な基礎物性を得ることを目的とし，我々は，MOVPEによる低濃度Mgドープp-GaNのホモエピタキシャル成長の実現とその物性評価に取り組んでいる．Mg濃度6.5×10¹⁶~2.3×10¹⁸ cm^-3のp-GaNに対して，ホール効果測定を温度範囲130~660Kにおいて行い，得られた正孔密度から，価電子帯の有効状態密度N_Vを明らかにしたので報告する．