11:15 〜 11:30 [16a-B1-9] Mgドープp-GaNのホール効果温度特性評価と価電子帯の有効状態密度に関する考察 〇堀田 昌宏1、高島 信也2、田中 亮2、上野 勝典2、江戸 雅晴2、高橋 言緒3、清水 三聡3、須田 淳3 (1.京大院工、2.富士電機、3.産総研)