2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

佐藤 威友(北大)

11:15 〜 11:30

[16a-B1-9] Mgドープp-GaNのホール効果温度特性評価と価電子帯の有効状態密度に関する考察

堀田 昌宏1、高島 信也2、田中 亮2、上野 勝典2、江戸 雅晴2、高橋 言緒3、清水 三聡3、須田 淳3 (1.京大院工、2.富士電機、3.産総研)

キーワード:窒化ガリウム、ホール効果、有効状態密度

GaN縦型パワーデバイス設計に必要な基礎物性を得ることを目的とし,我々は,MOVPEによる低濃度Mgドープp-GaNのホモエピタキシャル成長の実現とその物性評価に取り組んでいる.Mg濃度6.5×1016~2.3×1018 cm-3のp-GaNに対して,ホール効果測定を温度範囲130~660Kにおいて行い,得られた正孔密度から,価電子帯の有効状態密度NVを明らかにしたので報告する.