[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-10] 塩素中性粒子ビームによるGeエッチングメカニズムの検討

〇野田 周一¹、李 恩慈¹、水林 亘²、遠藤 和彦²、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.産総研ナノエレ)

キーワード：Ge Fin-FET、中性粒子ビームエッチング、エッチングメカニズム