[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-2] FLAを用いた浅く高活性なn+/p Ge接合形成と酸素ノックオンの影響

〇河原崎 光¹、谷村 英昭¹、加藤 慎一¹、青山 敬幸¹、小林 一平¹、鈇田 博²、中島 良樹²、永山 勉²、濱本 成顕²、酒井 滋樹² (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ、2.日新イオン機器)

キーワード：Ge、FLA

シリコン(Si)よりも高い移動度を示すゲルマニウム(Ge)は5nm世代以降のトランジスタのチャネル材料として有望視されている。しかし、Ge中の不純物活性化に関する報告例は少なく、特にn型不純物はp型不純物と比べ拡散係数が大きいため浅く高活性な接合形成に関する報告例が少ない。我々はこれまでに、Ge中のn型不純物の活性化を報告してきた。本発表では、さらなる高活性化に向け、イオン注入時の酸素のノックオンが活性化に与える影響を報告する。