[16a-B10-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16a-B10-8] Influence of Rapid Thermal Annealing on Structures of Ge Thin Films Grown at Low Temperature

〇Shintaro Otsuka¹, Mori Takahiro¹, Morita Yukinori¹, Uchida Noriyuki¹, Liu Yongxun¹, O'uchi Shin-ichi¹, Fuketa Hiroshi¹, Migita Shinji¹, Masahara Meisyoku¹, Matsukawa Takashi¹ (1.AIST)

Keywords:Epitaxial growth, Germanium, sputtering

Si (001)基板上の堆積したsub-10 nm Ge膜に追加の急速加熱処理(RTA)を行い、そのRTAがGe膜の構造に与える影響を評価した。Ge膜はDCマグネトロンスパッタを用いて成長温度350℃で堆積した。堆積した膜はエピタキシャル成長し、表面粗さRMSは0.39 nmであった。続けてRTAを行った結果、表面平坦性の劣化を無視できるほど小さく抑えつつGe膜の結晶性の向上に成功した。