[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-8] 急速加熱処理が低温成長Ge薄膜の構造に与える影響

〇大塚 慎太郎¹、森 貴洋¹、森田 行則¹、内田 紀行¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、昌原 明植¹、松川 貴¹ (1.産総研)

キーワード：エピタキシャル成長、ゲルマニウム、スパッタリング

Si (001)基板上の堆積したsub-10 nm Ge膜に追加の急速加熱処理(RTA)を行い、そのRTAがGe膜の構造に与える影響を評価した。Ge膜はDCマグネトロンスパッタを用いて成長温度350℃で堆積した。堆積した膜はエピタキシャル成長し、表面粗さRMSは0.39 nmであった。続けてRTAを行った結果、表面平坦性の劣化を無視できるほど小さく抑えつつGe膜の結晶性の向上に成功した。