9:30 AM - 9:45 AM
[16a-B3-3] Surface analysis of Si substrate with Ar ion bombardment by Raman Spectroscopy and RBS
Keywords:surface analysis, Ar-ion etching, Raman Spectroscopy
Arイオンを照射したSi基板表面の結晶構造を分析し、Arが残留する条件を明確にした。両面研磨したSi基板にArイオンを照射し、顕微ラマン分光測定(ナノフォトン社製のRAMANtouch)によって、Si基板表面のSi原子の濃度と結晶格子の歪みを測定した。Arイオン照射の出力が増加するとSi原子の濃度が下がり、Arイオンガンの出力によってSi基板中にArが存在する量が変化することがわかった。発表当日はラザフォード後方散乱分光法 (Rutherford Backscattering Spectroscopy：RBS) による評価結果も加えて、Arが残留する条件を報告する予定である。