2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 C302 (日航30階鳳凰)

喜多 浩之(東大)

10:00 〜 10:15

[16a-C302-5] ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(000-1)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較

〇(D)鹿児山 陽平1、岡本 光央2、吉岡 裕典2、原田 信介2、山崎 隆浩3、大野 隆央3、梅田 享英1 (1.筑波大数理、2.産総研、3.NIMS)

キーワード:4H-SiC、MOSFET、界面欠陥

電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光法を用いて、(000-1)C面4H-SiC MOSFETのドライ酸化とウェット酸化の比較を行った。EDMR信号はドライ酸化とウェット酸化で異なるものが検出され、ドライ酸化界面とウェット酸化界面には異なる欠陥が存在していることがわかった。本発表ではこれらの欠陥構造について議論する。