[16a-C302-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-C302-6] Evaluation of Local Capacitance Characteristics of SiO₂/4H-SiC Interface by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

〇Yuji Yamagishi¹, Norimichi Chinone¹, Yasuo Cho¹ (1.Res. Inst. of Electrical Commun., Tohoku Univ.)

Keywords:MOS interface, interface states, scanning nonlinear dielectric microscopy

半導体/酸化膜界面の評価手法としてC–V法やDLTSなどの容量測定をベースとした手法が広く用いられているが、我々は試料の局所的な容量特性を測定可能な走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いた評価手法を提案している。本研究では、SiC-MOSキャパシタ試料への印加バイアスを掃引した時の容量特性の変化をSNDMによって試料上の各点で測定することで試料の界面準位密度の評価を行った内容について報告する。