[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-C302-7] SiO₂/SiC界面欠陥由来による局所DLTS像の直流バイアス依存性観測

〇茅根 慎通¹、小杉 亮治²、田中 保宣²、原田 信介²、奥村 元²、長 康雄¹ (1.東北大、2.産総研)

キーワード：MOS界面、走査型プローブ顕微鏡法、走査型非線形誘電率顕微鏡法