2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 C302 (日航30階鳳凰)

喜多 浩之(東大)

11:00 〜 11:15

[16a-C302-8] SiC-MOSFETにおける伝導帯近傍のドナー型トラップが電気特性に与える影響のシミュレーション解析

桶田 修平1、西村 正1、鎌倉 良成1 (1.阪大院工)

キーワード:SiC、デバイスシミュレーション