[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-5] ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(000-1)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較

〇(D)鹿児山 陽平¹、岡本 光央²、吉岡 裕典²、原田 信介²、山崎 隆浩³、大野 隆央³、梅田 享英¹ (1.筑波大数理、2.産総研、3.NIMS)

キーワード：4H-SiC、MOSFET、界面欠陥

電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光法を用いて、(000-1)C面4H-SiC MOSFETのドライ酸化とウェット酸化の比較を行った。EDMR信号はドライ酸化とウェット酸化で異なるものが検出され、ドライ酸化界面とウェット酸化界面には異なる欠陥が存在していることがわかった。本発表ではこれらの欠陥構造について議論する。