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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 C302 (日航30階鳳凰)

喜多浩之(東大)

11:00 〜 11:15

[16a-C302-8] SiC-MOSFETにおける伝導帯近傍のドナー型トラップが電気特性に与える影響のシミュレーション解析

〇桶田修平¹、西村正¹、鎌倉良成¹ (1.阪大院工)

キーワード：SiC、デバイスシミュレーション