[16a-D61-1~11] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [16a-D61-7] Ge_1-xSn_x Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD (4)
Increase of Sn Concentration using Surfactant Effect of Sb Atom

〇Kohei Suda¹, Naomi Sawamoto¹, Hideaki Machida², Masato Ishikawa², Hiroshi Sudoh², Yoshio Ohshita³, Koji Usuda⁴, Ichiro Hirosawa⁵, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth Ltd., 3.Toyota Tech. Inst., 4.Toshiba Corp., 5.JASRI)

Keywords:GeSn, MOCVD

本発表では、Sb原子のサーファクタント効果によるGe_1-xSn_x膜のSn濃度増加について報告する。