[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-19] 量産用MOCVDを用いた低SiドープGaN膜中のCとSi濃度制御

〇朴 冠錫¹、矢野 良樹¹、池永 和正¹、三嶋 晃¹、田渕 俊也¹、松本 功¹ (1.大陽日酸(株))

キーワード：不純物

本研究では量産型MOCVD装置(4インチ基板10枚を処理可能)を用いてGaN膜を成長し、膜中CとSi濃度の制御性を調査した。さらに低濃度SiドープGaN (n-GaN) を3回成長し、装置の生産性について調べた。n-GaN中のCとSi濃度はそれぞれ5.0×10¹⁵ cm^-3と1.8×10¹⁶ cm^-3であった。全基板のキャリア濃度を測定したところ、全基板の標準偏差(1σ)は5.9％であった。