[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-20] 4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程

〇石丸 大樹¹、戸松 侑輝¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、グラフェン

InNは、様々なデバイスに応用が期待されている。しかしながら、高転位密度などに起因する高い残留キャリア濃度などにより、p型InNの形成は難しい。高品質InN結晶層の成長において、転位密度低減のためには、初期核形成過程の制御が重要な役割を果たすものと考えられる。4H-SiC基板上にSi昇華法を用いてSi面、C面の両面に形成したエピタキシャルグラフェンを成長基板として用いた場合のMOVPE法InNの初期成長過程について報告する。