[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-23] プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したIn_1-xGa_XN、及びIn_1-XAl_XN混晶
薄膜成長における混晶比制御の検討

〇淀 徳男¹、中川 竜磨¹、松下 真也¹、藤元 章²、原田 義之²、吉本 護³ (1.大阪工大工、2.大阪工大一般、3.東工大物質学院)

キーワード：窒化物半導体、混晶、不混和混晶

プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したIn_1-xGa_XN、及びIn_1-XAl_XN混晶
薄膜成長においてInリッチ側で混晶比制御を検討した。InNとGaN、あるいはAlNは最適な成長温度が極端に異なり、混晶成長で不混和混晶の制御が重要である。