[16a-P5-1~32] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-P5-8] Fluorine plasma treatment on InN films grown by RF-MBE

〇Shunsuke Fukushima¹, Satoshi Usuda¹, Tsutomu Araki¹, Yasushi Nanishi¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:InN, surface accumulation layer

InNは窒化物半導体の中で最も高い電子移動度、飽和電子速度、そして最も小さい有効質量を有する材料であるため、高速高周波デバイスへの応用が期待されている。しかしInNには表面電荷蓄積層の問題から実用化に至っていない。そこで我々の研究室ではInNにフッ素プラズマ処理を行うことによってこの問題を解決しようと試みている。今回の発表ではフッ素プラズマ処理を行うことでInNの電気的特性がどのように変化するのかを検討した。