[16a-P5-1~32] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-P5-8] フッ素プラズマ処理によるInNの表面電荷蓄積層の影響軽減に関する研究

〇福島 駿介¹、臼田 知志¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：InN、表面電荷蓄積層

InNは窒化物半導体の中で最も高い電子移動度、飽和電子速度、そして最も小さい有効質量を有する材料であるため、高速高周波デバイスへの応用が期待されている。しかしInNには表面電荷蓄積層の問題から実用化に至っていない。そこで我々の研究室ではInNにフッ素プラズマ処理を行うことによってこの問題を解決しようと試みている。今回の発表ではフッ素プラズマ処理を行うことでInNの電気的特性がどのように変化するのかを検討した。