[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-B1-11] AlGaN / GaN HEMT構造における凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減効果の解析

〇(M1)渡部 拓巳¹、星井 拓也¹、武井 優典¹、下田 智裕¹、筒井 一生¹、齊藤 渉²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹ (1.東工大工、2.東芝)

キーワード：HEMT構造、オーミックコンタクト、AlGaN / GaN

AlGaN/GaN HEMTの低抵抗オーミックコンタクト技術では、電子に対する障壁性と2DEGの高濃度誘起作用をもつAlGaN層の厚さはトレードオフである。これを克服する方法として、抵抗低減をはかる技術を提案した。凹凸構造の平面パターン形状が電極への電流の流入方向と平行なストライプ形状の場合に、パターンの微細化で低抵抗化の促進を示した。この傾向を説明するモデル化を行い、加工形状についても考察する。