[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-B1-5] 熱酸化処理によるSiO₂/GaN界面でのGaO_x形成とMOS界面特性向上

〇山田 高寛¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、吉越 章隆²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.原子力機構)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス